A Intel e a Saimemory, subsidiária da SoftBank criada em dezembro de 2024 especificamente para isso, estão desenvolvendo a Z-Angle Memory, ou simplesmente ZAM: uma memória empilhada em 3D com topologia diagonal que promete o dobro da largura de banda da HBM4 a um consumo 40% a 50% menor.
SK hynix, Samsung e Micron controlam o fornecimento, ditam preços e determinam o ritmo de expansão da infraestrutura de IA, o que criou uma dependência estrutural para qualquer fabricante de chip que queira competir no segmento. A ZAM entra exatamente nessa fresta: não é uma evolução da HBM, é uma arquitetura diferente, com interconexões em ângulo diagonal entre os oito camadas de DRAM em vez das conexões verticais convencionais, e pilares térmicos que dissipam calor de forma mais uniforme ao longo do stack.
Cada camada comporta 1,125 GB, 10 GB por stack, 30 GB por pacote completo. Para comparar: a HBM4 da Micron chega a 2,8 TB/s por stack com interface de 2.048 pinos; a ZAM projeta 5,3 TB/s por stack, com densidade de banda de 0,25 TB/s por mm² num footprint de 171 mm². A HBM4E, geração seguinte, entregaria até 4 TB/s, a ZAM passa por cima disso também.
O acordo formal foi assinado em 2 de fevereiro de 2026. O NEDO, agência japonesa de tecnologia vinculada ao governo, já selecionou o projeto para subsídios dentro do programa Post-5G Infrastructure Enhancement, o que na prática significa que parte do desenvolvimento sai do caixa público japonês, numa aposta explícita de que a ZAM pode reduzir a dependência do Japão em relação aos fornecedores de memória coreanos. O RIKEN, principal instituto de pesquisa aplicada do Japão, entra como parceiro para avaliação e integração em nível de sistema.
Protótipos funcionais estão previstos para o ano fiscal de 2028 (encerra em março de 2028), já a produção em escala deve ocorrer em 2029. A Intel já apresentou um protótipo no Intel Connection Japan 2026, em fevereiro, mostrando a arquitetura em ângulo Z em funcionamento antes de qualquer compromisso de produção em massa.
A integração planejada é com o EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge), que é a tecnologia de empacotamento avançado da própria Intel, o que significa que a ZAM foi desenhada para encaixar no ecossistema da empresa, não para ser vendida como componente genérico no mercado aberto. O objetivo final declarado é uma memória que una camadas verticais e horizontais com fotônica de silício integrada, o que permitiria interconexões ópticas entre chips num mesmo pacote.
