Samsung, SK hynix e Micron iniciaram o desenvolvimento de substratos para a memória DDR6 antes mesmo da finalização dos padrões técnicos pelo conselho JEDEC. Segundo o portal sul-coreano TheElec, fabricantes de memória já solicitaram aos fornecedores de substratos a criação de projetos baseados em dados parciais, que incluem informações sobre a espessura do componente, estrutura interna e rotas de circuitos. A meta é produzir amostras de teste dois anos antes do lançamento comercial, previsto para ocorrer entre 2028 e 2029. Um oficial da indústria de substratos confirmou que o trabalho conjunto começou recentemente para garantir que a produção em massa não encontre obstáculos físicos de última hora.
17,6 Gbps é a velocidade máxima esperada para o DDR6, o que representa o dobro do limite superior planejado para o atual DDR5. O salto de desempenho impacta diretamente o usuário que hoje enfrenta gargalos em tarefas pesadas (como edição de vídeo ou simulações de inteligência artificial) que dependem da largura de banda da memória. Enquanto a tecnologia avança, o custo para o consumidor permanece uma incógnita, já que o DDR5 ainda sofre pressão de preços devido à alta demanda por servidores de processamento neural.
